科研型 高真空磁控溅射镀膜设备 Circular Sputter系列是我司科研类及中试类高真空磁控溅射仪，其主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
- 靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。
- 靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。
- 增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。
距离可调整
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点：
安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）
占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。
控制系统
采用计算机＋PLC 两级控制系统
安全性
- 电力系统的检测与保护
- 设置真空检测与报警保护功能
- 温度检测与报警保护
- 冷却循环水系统的压力检测和流量
- 检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
基片加热技术
采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。
设备结构及性能：
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数量及类型：1～6个靶，圆形平面靶
3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片可旋转、可加热、可升降、可加偏压
6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜
7、操作方式：手动、半自动、全自动
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK，超高真空磁控溅射靶并且 样品传递采用折叠式，超高真空机械手或真空机械手，系统极限真空可达10-8Pa
设备主要技术指标
- 基片托架：根据供件大小配置。
- 基片加热器温度：根据用户供应要求配置。温度可用电脑编程控制，可控可调。
- 基片自转速度：2~20转/分钟。
- 基片架可加热、可旋转、可升降。
- 靶面到基片距离40mm~140mm 可调。
- Φ2～Φ12英寸平面圆形靶1～6支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。
- 镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~7X10-8Pa，恢复工作背景真空7×10-4Pa：30分钟左右（新设备充干燥氮气）
- 设备总体漏放率：关机12小时真空度≤5Pa
设备工作条件
类型 | 参数 | 备注 |
供电 | ～380V | 三相五线制 |
功率 | 根据设备规模配置 | |
冷却水循环 | 根据设备规模配置 | |
水压 | 1.0～1.5×105Pa | |
制冷量 | 根据散热量配置 | |
水温 | 18～25℃ | |
气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa | |
质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa | |
工作环境温度 | 10℃～40℃ | |
工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的**装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
2005
-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权zhuan*li；
-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2024~2026
-与jun*gong和上市头部企业合作取得突破（X 光感受板及光电器件的薄膜生长等）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-gao*xin*ji*shu企业
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