生产型TGV/TSV/TMV 高真空磁控溅射镀膜设备（Sputter-2000W系列）该设备用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的金属种子层镀膜，深径比>10:1。例如：用于基板镀膜工序Cu/Ti微结构，Au/TiW传输导线双体系膜层淀积能力，为微系统集成密度提升提供支撑。
本设备优点：膜层均匀性及重复性高，膜层附着力强，设备依据工艺配方进行可编程自动化控制。
设备结构及性能参数
- 单镀膜室、双镀膜室、多腔体镀膜室
- 卧式结构、立式结构
- 样品传递：直线式
- 磁控溅射靶数量及类型：多支矩形磁控靶
- 磁控溅射靶：直流、射频、中频、高能脉冲兼容
- 基片可加热、可升降、可加偏压
- 通入反应气体，可进行反应溅射镀膜
- 操作方式：手动、半自动、全自动
- 基片托架：根据基片尺寸配置
- 基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客户指定尺寸
- 进/出样室极限真空度：≤8X10-5Pa
- 进/出样室工作背景真空度：≤2X10-3Pa
- 镀膜室的极限真空度：5X10-5Pa,
工作背景真空度：8X10-4Pa
- 膜层均匀性：<5%（片内），<5%（片间）
- 设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa
工作条件
| 类型 | 参数 | 备注 |
| 供电 | ～380V | 三相五线制 |
| 功率 | 根据设备规模配置 | |
| 冷却水循环 | 根据设备规模配置 | |
| 水压 | 1.0～1.5×105Pa | |
| 制冷量 | 根据散热量配置 | |
| 水温 | 18～25℃ | |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa | |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa | |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ | |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的**装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
2005
-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权zhuan*li；
-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2024~2026
-与jun*gong和上市头部企业合作取得突破（X 光感受板及光电器件的薄膜生长等）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-gao*xin*ji*shu企业
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